半导体物理课后习题试卷及答案.docxVIP

半导体物理课后习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.在n型半导体中，费米能级位于（）

A.低于导带底

B.位于施主能级与导带底之间

C.等于导带底

D.高于导带底

2.本征半导体载流子浓度公式中，ni等于（）

A.NCNV

B.NCNVexp(-Eg/(2kT))

C.NCNVexp(-Eg/(kT))

D.NCNVexp(Eg/(2kT))

3.pn结反向偏置时，势垒高度（）

A.降低

B.升高

C.不变

D.先降低后升高

4.迁移率的主要影响因素是（）

A.温度

B.杂质浓度

C.散射机制

D.以上都是

5.金属-半导体接触形成欧姆接触的条件是（）

A.形成肖特基势垒

B.形成反型层

C.形成积累层

D.形成耗尽层

6.禁带宽度Eg随温度升高而（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

7.在p型半导体中，多数载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.施主杂质

D.受主杂质

8.费米能级在简并半导体中（）

A.位于禁带中央

B.