电子科大微电子考研资料第一章 半导体材料及二极管 1.1 .pdfVIP

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  • 2026-03-17 发布于浙江
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电子科大微电子考研资料第一章 半导体材料及二极管 1.1 .pdf

模拟电路基础

授课教师:吴援明

授课学时:64学分:4

授课时间:周二5-6节;周五5-6节

授课地点:清水河校区A202

网络资源:电子科技大学-互动教学空间(教师社区)-

网络学堂-光电信息学院-模拟电路基础(吴援明)

作业:每周一次;提交方式:网络学堂或作业本

考试方式:开卷

成绩构成:平时(10分)+期中(30分)+期末(60分)

教材:

吴援明,唐军,《模拟电路分析与设计基础》,科

学出版社,2006.8

辅导材料:

吴援明,唐军,曲健,《模拟电路分析与设计基础学

习指导书》,科学出版社,2007.8

参考资料:

DonaldA.Neamen,ElectronicCircuitAnalysis

andDesign(SecondEdition).清华大学出版社影印本

目标:

➢系统地掌握模拟电路的基础知识;

➢提高自主学习能力;

➢养成勤于思考、善于思考、乐于思考的习惯,改善

思维能力。

要求:

➢口头和书面流利、清晰地表述知识结构(基本概念和

主要的分析方法)、重点内容、难点内容。

➢理解并灵活运用基本概念阐述电路的工作原理和主要

的分析方法。

➢自主学习为主,结合教师的讲解和任务要求,提高学

习效率,改进学习方法,改善学习效果。

➢改善思维能力(记忆、理解、应用、分析、评价、创

新)。

第一章

半导体材料及二极管

概述

◼半导体:导电性能介于导体与绝缘体之间的物体

◼半导体材料:Si和Ge

◼PN结二极管

形成过程

伏安特性

应用电路

几种特殊的二极管

1.1半导体材料及其特性

◼半导体材料:

Ⅳ族元素硅(Si)、锗(Ge)

III-V族元素的化合物砷化嫁(GaAs)

等。

☆导电性能会随温度、光照或掺入某些

杂质而发生显著变化。

•本征半导体

•杂质半导体

1.1.1本征半导体

◼本征半导体-纯净的具有晶体结构的半导体。

◼晶格-在本征Si和Ge的单晶中,原子在空间形成

排列整齐的空间点阵。

共价键结构

本征激发

本征半导体中的两种载流子

本征浓度

1.共价键结构

◼共价键

图1.1单晶Si和Ge的共价键结构示意图

2.本征激发

◼自由电子

◼空穴

原子因失去一个价电子而

带正电,这个带正电的

“空位”叫空穴。

◼本征激发

半导体在外界)热或光或

其他)激发下,产生自由

电子空穴对的现象。

图1.2本征激发示意图

3.本征半导体中的两种载流子

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