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高温半导体芯片项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称：高温半导体芯片项目

项目建设性质：本项目属于新建高新技术产业项目，专注于高温半导体芯片的研发、生产与销售，旨在填补国内高温环境下专用半导体芯片的市场空白，推动相关产业技术升级。

项目占地及用地指标：项目规划总用地面积52000平方米（折合约78亩），建筑物基底占地面积37440平方米；总建筑面积61360平方米，其中绿化面积3380平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积10880平方米；土地综合利用面积51700平方米，土地综合利用率达99.42%。

项目建设地点：项目选址定于江苏省无锡市新吴区无锡