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2025年长鑫存储校招笔试通关秘籍+试题答案大全

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最核心器件是

A.电容?B.晶体管?C.电阻?D.电感

2.3DNAND中“垂直方向”堆叠的主要技术驱动力是

A.降低位线电容?B.提高存储密度?C.减小写延迟?D.降低功耗

3.下列哪一项不是ECC纠错算法常用的码型

A.Hamming?B.BCH?C.LDPC?D.CRC32

4.在FinFET工艺中，栅极包裹沟道的最主要目的是

A.降低漏电流?B.提高载流子迁移率?C.抑制短沟道效应?D.减小栅氧厚度

5.关于DDR5与DDR4相比，下列描述错误的是

A.预取长度增加到16?B.引入片上电源管理IC?C.同一根通道可拆分为两个子通道?D.工作电压升高到1.5V

6.在半导体良率模型中，DefectDensityD0与芯片面积A、良率Y的关系最接近

A.Y=1/(1+D0A)?B.Y=e^(-D0A)?C.Y=1–D0A?D.Y=ln(D0A)

7.下列哪种失效模式属于时间依赖介电击穿(TDDB)

A.HotCarrier?B.NBTI?C.EM?D.GateOxideBreakdown

8.在CMOS反相器