CN104037215A 一种基于聚合物的增强型AlGaNGaN MISHEMT器件结构及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104037215A

(43)申请公布日2014.09.10

(21)申请号201410311169.9

(22)申请日2014.07.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种基于聚合物的增强型AlGaN/GaNMISHEMT器件结构及制作方法

(57)摘要

CN104037215A私0L三节eSTO福电极棉极原极纯化层ITO树电极0联lecrcnca钝化层ALCa掺杂层AL8n本征层Gn沟道层AIM品离层G缓弹层S衬底本发明公开了一种基于聚合物的增强型A1GaN/GaNMISHEMT器件结构及其