CN118800847B 半导体量子阱结构及其制备方法 (武汉鑫威源电子科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-03-18 发布于重庆
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CN118800847B 半导体量子阱结构及其制备方法 (武汉鑫威源电子科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118800847B

(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202410891841.XH10H20/813(2025.01)

H01S5/343(2006.01)

(22)申请日2024.07.04

(56)对比文件

(65)同一申请的已公布的文献号

申请公布号CN118800847ACN104393132A,2015.03.04

CN109300852A,2019.02.01

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