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2026年电子产品制造工艺技术考试题(附答案)

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在2026年量产的3nmFinFET工艺中，栅极长度缩减至约18nm，若沟道电子迁移率μ_n=1200cm2/V·s，氧化层等效厚度EOT=0.9nm，则单位面积栅电容C_{ox}最接近

A.3.8fF/μm2?B.4.6fF/μm2?C.5.3fF/μm2?D.6.1fF/μm2

2.采用EUV光刻的DRAM1c节点，最小pitch28nm，若光源波长λ=13.5nm，数值孔径NA=0.55，则理论k?因子为

A.0.28?B.0.33?C.0.37?D.0.42

3.在Cu双大马士革低k互连中，若通孔底部出现Cu空洞，最可能源于

A.TaN阻挡层过厚?B.PVDCu籽晶层沉积温度过低?C.退火时H?分压过高?D.化学机械抛光浆料pH过低

4.2026年主流扇出型面板级封装（FO-PLP）使用600mm×600mm面板，若芯片尺寸8mm×8mm，理论最大封装颗数为

A.5625?B.5776?C.6084?D.6400

5.氮化镓功率器件在650V/25A工况下，若Ron·Qgon优值较硅MOSFET降低85%，则开关损耗降低比例最接近

A.65%?B.75%?C.82%?D.88%

6.采用原子层刻蚀（