CN104037218B 一种基于极化效应的高性能AlGaNGaN HEMT高压器件结构及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104037218B公告日2016.09.28

(21)申请号201410312189.8

(22)申请日2014.07.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104037218A

(43)申请公布日2014.09.10

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN103839996A,2014.06.04,US8541817B2,2013.09.24,

JP特许第5304134号B2,2013.10.02,审查员徐晨

权利要求书2页说明书4页附图2页