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CN113707605B 半导体器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-18 发布于山西
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CN113707605B 半导体器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN113707605B

    (45)授权公告日2025.06.17

    (21)申请号202110901625.5

    (22)申请日2021.08.06

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113707605A

    (43)申请公布日2021.11.26

    (30)优先权数据

    63/062,8402020.08.07US

    17/218,2122021.03.31US

    (73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

    (72)发明人马哈维

    卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯沈泽民

    (74)专利代

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