CN104037218A 一种基于极化效应的高性能AlGaNGaN HEMT高压器件结构及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104037218A

(43)申请公布日2014.09.10

(21)申请号201410312189.8

(22)申请日2014.07.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种基于极化效应的高性能A1GaN/GaNHEMT高压器件结构及制作方法

(57)摘要

CN104037218A源极ITO概电模汤枝钝化层9905909有极绝缘晨cenEe钝化层LiFBGsceA1CaN掺茶层A1CaN本征层Ca沟道层AIN隔离层Cn量冲层树底本发明公开了一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaNHEMT高压器件结构及其制作方法，从下