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CN114446963B 半导体存储单元结构、半导体存储器及其制备方法、应用 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

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  • 2026-03-19 发布于山西
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CN114446963B 半导体存储单元结构、半导体存储器及其制备方法、应用 （北京超弦存储器研究院）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN114446963B

    (45)授权公告日2025.06.06

    (21)申请号202111456087.X

    (22)申请日2021.12.01

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114446963A

    (43)申请公布日2022.05.06

    (73)专利权人北京超弦存储器研究院

    地址100176北京市大兴区经济技术开发

    区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层

    专利权人中国科学院微电子研究所

    (72)发明人王琪朱慧珑

    (74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619

    专利

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