1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 计算机
  5. 存储技术

CN114627936B 在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法 （意法半导体国际有限公司）.docxVIP

  • 1
  • 0
  • 约2.15万字
  • 约 41页
  • 2026-03-20 发布于山西
  • 举报

CN114627936B 在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法 （意法半导体国际有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN114627936B

    (45)授权公告日2025.05.20

    (21)申请号202111493038.3

    (22)申请日2021.12.08

    (65)同一申请的已公布的文献号

    (51)Int.Cl.

    G11C16/08(2006.01)

    G11C16/30(2006.01)

    G11C16/34(2006.01)

    G11C16/26(2006.01)

    (56)对比文件

    CN1448954A,2003.10.15US9754640B1,2017.09.05

    审查员梁静静

    权利要求书4页说明

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >