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第三代半导体（GaN、SiC）的制备工艺突破

引言

第三代半导体以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表，凭借宽禁带、高击穿场强、高热导率等特性，成为5G通信、新能源汽车、智能电网等领域的核心材料。与以硅（Si）为代表的第一代、砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体相比，GaN和SiC在高频、高功率、高温场景下的性能优势显著，被视为推动能源转换效率提升与电子器件小型化的关键技术。然而，其制备工艺长期面临晶体质量差、缺陷密度高、大尺寸制备难等瓶颈，制约了产业化进程。近年来，随着衬底生长、外延工艺及器件加工技术的持续突破，第三代半导体正从实验室走向规模化应用。本文将围绕GaN、SiC制备工艺的核心环节，系统梳理技术突破路径与产业价值。

一、材料特性与应用需求的倒逼：工艺突破的内在动力

（一）GaN与SiC的本征优势与应用场景

GaN的禁带宽度约为3.4电子伏特（eV），SiC（4H型）则达3.26eV，均远高于硅（1.1eV）和砷化镓（1.4eV）。这一特性使其在高压环境下更难被击穿，可承受的电场强度是硅的10倍以上（Brennan,2005）。同时，GaN的电子迁移率高达2000cm2/(V·s)，适合高频器件；SiC的热导率（4H-SiC约4.9W/(cm·K)）是硅的3倍，更适用于高功率、高温场景（Neudeck,2006）。

从应用端看，5G基站的高频功放模块需