十五五：先进制程中的High-K介质、金属栅等材料突破在望.pptxVIP

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目录

一、摩尔定律的救赎？十五五期间High-K介质如何突破物理极限，从“材料选择”迈向“能带工程”的专家视角深度剖析

二、金属栅极的演进困局：功函数金属与填充金属在3D堆叠时代的新挑战，以及面向埃米节点的界面调控颠覆性策略

三、High-K与金属栅的“完美婚姻”：阈值电压调控的终极奥义，兼论偶极子工程与应力技术在未来制程中的协同优化

四、沟道材料的变局：当High-K遇上二维半导体与Ge/III-V族材料，界面态密度与等效氧化层厚度的生死时速

五、原子尺度下的“精准手术”：十五五期间High-K介质原子层沉积工艺的革新路径与三维结构保形覆盖的极限挑战

六、漏电流的“终结者”？超高K值栅介质材料的探索之旅：从钙钛矿到高熵氧化物，是未来之星还是镜花水月？

七、金属栅极的“芯”脏革命：钌、钼、钼合金等新型金属材料如何取代传统钨/钴，以解电阻与可靠性燃眉之急？

八、可靠性为王：十五五先进制程中High-K/金属栅的偏压温度不稳定性与时间依赖介质击穿的物理机制与寿命预测模型革新

九、产业链的无声较量：High-K前驱体与金属靶材的国产化突围，十五五期间材料供应链安全与自主可控的机遇和挑战

十、不止于逻辑芯片：High-K/金属栅技术在新型存储（如FeFET、FRAM）与功率半导体中的跨界融合与颠覆性应用前景;;;;;界