稀磁半导体(Ga,Mn)As磁光性质的深度探究与前沿展望.docxVIP

稀磁半导体(Ga,Mn)As磁光性质的深度探究与前沿展望

一、引言

1.1研究背景

在信息技术飞速发展的当下，对新型材料的需求愈发迫切。新型材料作为信息技术发展的重要支撑，其创新发展对于推动科技进步和产业升级意义重大。从新材料企业的产品方向来看，电子信息材料因5G通信、人工智能等技术的普及，对半导体材料、磁性材料等的需求持续攀升。半导体材料作为集成电路制造的基础，高性能的半导体材料更是供不应求。而磁性材料在信息存储等领域有着不可或缺的地位。

稀磁半导体（Dilutedmagneticsemiconductors,DMS）应运而生，它是将3d族过渡金属或4f族稀土金属的磁性离子，替代Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族、Ⅱ-Ⅴ族或Ⅲ-Ⅴ族等化合物半导体中的部分非磁性阳离子，从而形成的新型半导体材料，也被称作半磁半导体（Semimagneticsemiconductors,SMSC）材料或半导体自旋电子材料。因其磁性元素含量相较于普通磁性材料较少，故而得名稀磁半导体。这类材料存在局域磁性顺磁离子，具备很强的局域自旋磁矩，并且局域顺磁离子与迁移载流子（电子或空穴）之间存在相互作用。

在实际应用中，以半导体材料为基础的大规模集成电路和高频率器件，在信息处理和传输时充分利用了电子的电荷属性；而信息存储领域，如磁带、光盘、硬盘等，则依赖磁性材料，利用的是电子的自旋属性。