采用ST-F7-LV-MOSFET技术的单片肖特基二极管-提高应用性能.docx

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采用STF7LVMOSFET技术的单片肖特基二极管:提高应用性能

软度因子(S=t_B/t_A)是快软复原分类标准，这个参数在无数应用领域都非常重要。软度因子越大，反向复原软度越高。事实上，假如tB区十分短，电流迅速变幻与本征电感就会产生不想看到的电压过冲和振铃效应。尖峰电压可能会高于功率开关管的击穿电压，此外，EMI性能也会恶化。2所示，在二极管反向复原期间，大电流和高反向电压会同时产生耗散功率，致使系统能效降低。此外，在电桥拓扑中，下桥臂开关管的最大反向复原电流加到上桥臂开关电流中，致使耗散功率升高至最大额定