晶面锗基底调控下单晶石墨烯生长与物理特性的深度剖析.docxVIP

晶面锗基底调控下单晶石墨烯生长与物理特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，微电子领域对于高性能材料的需求日益迫切。石墨烯，作为一种由碳原子组成的二维材料，自2004年被成功剥离以来，凭借其独特的结构和优异的物理性质，如高达350000cm2V?1s?1的载流子迁移率和97.7%的光透过率，在微电子领域展现出了巨大的潜力，被认为是后硅CMOS时代最具潜力的沟道材料之一。

在微电子器件中，沟道材料的性能直接影响着器件的性能。传统的硅基材料在不断缩小尺寸的过程中，逐渐面临着诸如电子迁移率下降、功耗增加等瓶颈问题。而石墨烯的超高载流子迁移率，能够显著提高电子在沟道中的传输速度，从而有望实现更快的运算速度和更低的功耗。此外，石墨烯还具有良好的柔韧性、机械强度和化学稳定性，这些特性使得它在可穿戴设备、柔性电子等新兴领域也具有广阔的应用前景。

将石墨烯应用于微电子领域的关键前提是要在CMOS技术兼容的衬底上制备出高质量的单晶石墨烯。锗作为一种重要的半导体材料，其（001）晶面的锗晶圆与CMOS工艺具有更强的兼容性。在晶面锗上生长单晶石墨烯，不仅能够充分发挥石墨烯的优异性能，还能够利用现有的CMOS工艺进行器件制备，降低生产成本，提高生产效率，对于推动微电子技术的发展具有重要意义。

然而，目前在晶面锗上生长单晶石墨烯仍然面临诸多