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CdS-GaN光电探测器的构筑及在单像素成像中的应用

关键词：CdS；GaN；光电探测器；单像素成像；构筑方法

第一章引言

1.1研究背景与意义

光电探测器作为现代电子学和光电子学的核心组件，其性能直接影响到传感器的灵敏度、响应速度和稳定性。随着纳米技术和微纳加工技术的飞速发展，光电探测器的尺寸越来越小，功能越来越复杂。因此，开发新型高效、低成本的光电探测器对于推动相关技术的发展具有重要意义。

1.2国内外研究现状

目前，CdS和GaN材料因其独特的物理化学性质而被广泛应用于光电探测器的构筑中。国外在CdS/GaN光电探测器的制备和应用方面取得了显著进展，而国内在这一领域也展现出强劲的发展势头。然而，如何优化构筑过程、提高光电转换效率以及降低成本仍然是当前研究的热点问题。

1.3研究内容与目标

本研究旨在探索CdS/GaN光电探测器的高效构筑方法，并评估其在单像素成像技术中的应用潜力。通过对构筑过程的优化和对光电性能的系统测试，本文期望实现光电探测器性能的提升，并为单像素成像技术的创新提供理论支持和技术指导。

第二章CdS/GaN光电探测器的理论基础

2.1CdS的基本性质

CdS（硫化镉）是一种宽带隙半导体材料，具有较宽的直接带隙（约为3.6eV），这使得它在可见光至近红外区域具有良好的光吸收特性。CdS的晶体结构为立方闪锌矿结构，具有较高的热稳定性和良好的化学稳定