2025年长鑫存储内推笔试专属试题及满分答案.docVIP

2025年长鑫存储内推笔试专属试题及满分答案

一、单项选择题，每题2分，共20分

1.在DRAM单元中，用于存储电荷的关键结构是

A.位线B.字线C.电容D.传输门

2.下列哪一项最能直接决定DRAM刷新周期的长短

A.单元漏电流大小B.位线长度C.字线驱动电压D.读出放大器增益

3.1T1CDRAM单元在读出过程中出现“破坏性读出”，其根本原因是

A.字线电压过高B.电容电荷被共享C.位线预电平漂移D.衬底偏置变化

4.为提高深亚微米DRAM阵列良率，通常首选的冗余技术是

A.行冗余B.列冗余C.块冗余D.全局冗余

5.在DDR5标准中，用于将16bit预取数据分发到两个独立子通道的机制称为

A.BankGroupB.PrefetchFIFOC.Sub-channelInterleaveD.CATraining

6.长鑫存储19nm工艺采用的高κ介质材料主要解决

A.栅漏电流B.电容漏电C.位线耦合D.字线延迟

7.下列哪项测试最能在早期筛选出Gate-SiO2针孔缺陷

A.高温老化B.电压斜坡测试(V-ramp)C.IDDQD.低速功能测试

8.在