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基于晶体相场方法的晶体外延生长界面与位错迁移的微观探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与半导体技术领域，晶体外延生长是一项至关重要的技术，对半导体器件制造、光电子学等众多关键领域的发展起着基础性的支撑作用。随着半导体器件特征尺寸不断微缩，对高质量薄膜材料的需求愈发迫切。在半导体工艺制造中，高质量的外延层能够精确控制薄膜的厚度、掺杂浓度等参数，为提升器件性能发挥了关键作用，如提高双极型晶体管的高频性能、解决CMOS器件的闩锁效应等。在光电子学领域，外延生长技术用于制备各种半导体材料，如硅、镓化合物和氮化物等的薄膜和异质结构，满足不同光电器件的需求，如高亮度发光二极管（LED）、激光二极管、光电探测器等。

传统的研究方法在深入探究晶体外延生长过程中的微观结构演化和位错迁移等现象时，存在诸多局限性。而晶体相场方法作为一种新兴的模拟技术，能够在原子尺度和扩散时间尺度上对材料微观结构演化进行有效模拟，为研究晶体外延生长提供了独特的视角和强大的工具。它能够自洽地耦合弹塑性形变和多重晶粒位向，从而深入研究与此相关的各种物理现象，弥补了传统研究方法的不足。通过晶体相场方法，能够更准确地揭示晶体外延生长界面结构的形成机制、位错的产生与迁移规律，为优化晶体生长工艺、提高材料性能提供理论依据和技术支持。因此，开展基于晶体相场方法的晶体外延生长界面结构与位错迁移的研究具有重要的科学