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湘潭大学 半导体器件物理课件 724页课件.ppt

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    湘潭大学半导体器件物理课件724页课件湘潭大学半导体器件物理课件724页课件

    2.N沟道耗尽型MOSFET特点：当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。定义：夹断电压（UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。§4.1晶体管的基本结构和杂质分布根据工作原理，晶体管可以分为两大类：一类就是第3章中讨论过的双极型晶体管，另一类就是本章将讨论的MOS场效应晶体管。在双极型晶体管中，参加工作的不仅有

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