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CN114725124B 一种基于铁电肖特基隧穿结的半导体结构及其制备方法 （西安电子科技大学杭州研究院）.docxVIP

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  • 2026-03-24 发布于山西
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CN114725124B 一种基于铁电肖特基隧穿结的半导体结构及其制备方法 （西安电子科技大学杭州研究院）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN114725124B

    (45)授权公告日2025.06.20

    (21)申请号202210176047.8

    (22)申请日2022.02.24

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114725124A

    (43)申请公布日2022.07.08

    (73)专利权人西安电子科技大学杭州研究院地址311200浙江省杭州市萧山区钱农东

    路8号西安电子科技大学杭州研究院

    (72)发明人刘艳周久人闫钦元冯雯静郑思颖韩根全郝跃

    (74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司

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