CN120129255A 一种设有沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及其制备方法 (重庆青山工业有限责任公司).pdfVIP

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  • 2026-03-23 发布于重庆
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CN120129255A 一种设有沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及其制备方法 (重庆青山工业有限责任公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120129255A

(43)申请公布日2025.06.10

(21)申请号202510110764.4H10D64/20(2025.01)

(22)申请日2025.01.23

(71)申请人重庆青山工业有限责任公司

地址402776重庆市璧山区青杠街道

(72)发明人马绍波蒋华平游同生于志新

汤磊彭志远杨鹏正刘定杰

谢雨庭钟笑寒李欣欣

(74)专利代理机构重庆志合专利事务所(普通

合伙)50210

专利代理师徐传智

(51)Int.Cl.

H10D8/01(2025.01)

H10D8/6

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