CN119922945A 集成FinFET结构的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法 (电子科技大学).pdfVIP

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  • 2026-03-23 发布于重庆
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CN119922945A 集成FinFET结构的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法 (电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119922945A

(43)申请公布日2025.05.02

(21)申请号202510108131.XH10D62/10(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

(22)申请日2025.01.23

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人邓小川王浩叶子轩李轩

张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232

专利代理师敖欢

(51)I

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