磁电存储器件抗辐射性能提升项目可行性研究报告.docx

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磁电存储器件抗辐射性能提升项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

项目名称

磁电存储器件抗辐射性能提升项目

建设单位

中芯磁电科技(南京)有限公司于2023年6月在江苏省南京市江宁区市场监督管理局注册成立,属有限责任公司,注册资本金5000万元人民币。核心经营范围包括磁电存储器件研发、生产及销售;半导体器件制造;电子专用材料研发;集成电路设计;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。

建设性质

新建

建设地点

江苏省南京市江宁经济技术开发区半导体产业园

投资估算及规模

本项目总投资估算为38650万元,其中一期工

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