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扩散工艺试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.下列关于间隙扩散的描述，正确的是（）。

A.杂质原子占据晶格位置，需克服势垒

B.扩散速率主要受杂质类型影响，与温度无关

C.常见杂质如硼、磷在硅中的扩散属于间隙扩散

D.间隙扩散的扩散系数D随温度升高而增大

2.预淀积扩散的主要目的是（）。

A.获得高浓度的浅结层

B.实现杂质的再分布，控制结深

C.降低硅片表面缺陷密度

D.形成氧化层作为掩膜

3.菲克第二定律描述的是（）。

A.稳态扩散时的通量关系

B.非稳态扩散时的浓度变化

C.恒定表面浓度扩散

D.限定源扩散的结深计算

4.磷在硅中的扩散系数表达式为D=3.83×10?3exp(-3.66eV/kT)，其中kT的单位是（）。

A.eV

B.J

C.K

D.cm2/s

5.下列方法中，属于高温扩散的是（）。

A.离子注入

B.热氧化

C.闭管扩散

D.化学气相沉积

6.结深xj的定义通常基于（）。