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- 2026-03-25 发布于广东
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AP1N60MSI-H
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP1N65MSI-HissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=650VI1.0A
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