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- 2026-03-25 发布于广东
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AP5N50FD
500VN+FRD-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP5N50FDissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=500VI
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