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- 2026-03-25 发布于广东
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AP75N20BPIT
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP75N20BP/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas12V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=200VI=75A
DSD
RDS(ON)25mΩ@VGS=10V（Type：21mΩ）
Application
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