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- 2026-03-25 发布于广东
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AP9N20BD
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP9N20BDusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V=200V,I=9A
DSD
RDS(ON)300mΩ@VGS=10V（Typ：260mΩ）Schematicdiagram
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullyc
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