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- 2026-03-25 发布于广东
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AP5N20BD
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP5N20BDusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V=200V,I=5A
DSDSchematicdiagram
RDS(ON)580mΩ@VGS=10V(Typ:520mΩ)
●Highdensitycelld
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