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- 2026-03-25 发布于广东
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AP2N20I
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
D
Description
TheAP2N20Susesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ItG
canbeusedinawidevarietyofapplications.
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