GaN-on-SiC异质外延技术研发及产业化项目可行性研究报告.docx

GaN-on-SiC异质外延技术研发及产业化项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

项目名称

GaN-on-SiC异质外延技术研发及产业化项目

建设单位

深圳氮化芯半导体科技有限公司于2023年6月在广东省深圳市南山区市场监督管理局注册成立，属有限责任公司，注册资本金5000万元人民币。核心经营范围包括第三代半导体材料及器件研发、生产、销售；半导体技术咨询与服务；货物及技术进出口（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。

建设性质

新建

建设地点

广东省深圳市宝安区半导体产业园区

投资估算及规模

本项目总投资估算为86500万元，其中一期工程投资51900万元，二期工程投