CN119538835B 用于沟槽肖特基结构的电子器件性能提升方法及装置 (浙江广芯微电子有限公司).pdfVIP

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  • 2026-03-25 发布于重庆
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CN119538835B 用于沟槽肖特基结构的电子器件性能提升方法及装置 (浙江广芯微电子有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119538835B

(45)授权公告日2025.04.15

(21)申请号202510095707.3G06F119/02(2020.01)

(22)申请日2025.0

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