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- 2026-03-26 发布于北京
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热生长SiO2中的氯离子注入
G.格里乌，H.哈斯珀
应用系，格罗宁根州立大学，9747AG格罗宁根，荷兰
1116−2
热生长SiO层被氯离子注入(10−10cm)，在少数情况下还被氩气注入。通
2
+
过三角电压扫描技术测量了MOS结构上的注入效果，该技术显示了移动离子(Na)
在氧化物中的运动。随着注入剂量的增加，移动离子的数量显著增加。在干
900∘
v22中进行20min，C退火后，未发现显著变化，因此我们得出结论，这是
700∘
一个不可逆过程。注入的氯在SiO薄膜中高于C时是可移动的。扩散系数的
2
初步值为：
−62−1
2
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