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半导体物理试卷及答案

试题部分：

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的禁带宽度主要由什么决定？

A.原子序数

B.晶格结构

C.电子结构

D.温度

2.本征半导体的电导率主要依赖于？

A.杂质浓度

B.温度

C.晶格缺陷

D.激子

3.N型半导体的多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

4.P型半导体的多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

5.当温度升高时，本征半导体的电导率如何变化？

A.增加

B.减少

C.不变

D.先增后减

6.PN结形成的原理是什么？

A.扩散

B.漂移

C.吸收

D.发射

7.二极管正向偏置时，其电阻特性如何？

A.很大

B.很小

C.中等

D.零

8.二极管反向偏置时，其电阻特性如何？

A.很大

B.很小

C.中等

D.零

9.晶体管的放大作用是基于什么原理？

A.电流控制

B.电压控制

C.场控制

D.能量控制

10.MOSFET的主要组成部分不包括？

A.源极

B.漏极

C.集电极

D.栅极

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料有哪些类型？

A.本征半导体

B.N型半导体

C.P型半导体

D.导体

2.影响半导体材料电导率的因素有哪些？

A.温度

B.杂质浓度

C.晶格缺陷

D.禁带宽度

3.PN结的特性包括哪些？

A.扩散电流

B.漂移电流

C.开路电压

D.隔离作