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GaN器件和AMO技术推动实现高效率和宽带宽

(MIT)开发的技术：非对称多级移相(asymmetricmultileveloutphasing,AMO)技术举行商业化开发。此AMO技术将移相技术的高线性配备了提升效率、多级别、分立开关的漏极偏置。分立开关漏极偏置电压是支持宽带宽、同时保持高效率的关键所在，而这也是这项技术超越传统包络跟踪技术的最大优势。图1显示了AMO技术如何实现效率提升，超越单独的移相技术。

在任何移相系统中，最大化的效率是通过单个功率放大器的性能猎取的。在大功率放大器设计中，EtaDevices公司用法GaNHEMT器件，这种器件的实际峰值漏极效率超过了80%。选用GaN技术是由于其具有相比现有硅器件的更好性能，后者在相同条件下峰值漏极效率仅牵强超过70%。

协作高性能RF放大器，电源开关系统必需针对具有最小瞬变的低损耗开关而优化，系统的时序是十分重要的，这就需要管理每个信号和控制路径中的延迟。一旦正确地同步，EtaDevices的专有数字预失真(DPD)技术就成为了实现4G系统的严苛相邻信道功率比(ACPR)规范的关键。这种架构已经在多种功率级别和应用中实施，包括用于手机和WLAN传送器的1WPA(功率放大器)到用于基站的100WPA，并用法了多种材料如GaN、GaA