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超支化聚酰亚胺的合成及其电存储性能研究：从分子设计到功能实现

一、引言

（一）电存储材料研究背景与挑战

在当今信息时代，电子信息产业呈现出迅猛发展的态势，对存储材料的性能提出了极为严苛的要求。高密度存储能够满足大数据时代海量信息的存储需求，确保数据的高效存储与快速读取；低功耗特性则有助于降低设备能耗，延长电池续航时间，减少能源消耗和设备发热问题，提升设备的整体性能和用户体验。传统的存储材料在面对这些不断攀升的性能要求时，逐渐显露出诸多局限性，难以满足未来电子设备对高性能存储的期望。

高分子电存储材料应运而生，凭借其出色的加工性能和结构的高度可调性，成为了科研领域的研究热点。聚酰亚胺（PI）作为高分子材料家族中的重要成员，以其卓越的高性能特性而备受瞩目。它在耐热性方面表现卓越，能够在高温环境下保持稳定的性能，不易发生分解或变形；机械性能优良，具有较高的强度和韧性，能够承受一定程度的外力作用；化学稳定性出色，对大多数化学物质具有良好的耐受性，不易受到化学腐蚀；电性能也十分优异，具备良好的绝缘性和介电性能。这些优异的性能使得PI在航空航天、电子电器等高端领域得到了广泛的应用。

为了进一步拓展PI在电存储领域的应用，科研人员通过引入电活性官能团的策略，成功赋予了PI双稳态电存储行为。三苯胺、咔唑等电活性官能团具有独特的电子结构和电学性质，它们的引入能够改变PI分子的电子云分