原创力文档摘要
摘要
二维PtTe2作为新型半金属材料，以其独特的能带结构、优异的化学稳定性
和可调控的电子特性，在红外光电探测领域展现出显著优势；此外，锗(Ge)作
为传统半导体材料，因其在短波红外波段优异的光吸收特性、成熟的器件制备工
艺以及与CMOS工艺良好的兼容性，在光电探测领域占据重要地位。将二维PtTe2
与Ge材料进行异质集成，有望实现二者性能的优势互补，为开发高速、宽光谱
响应的新型光电探测器提
摘要
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二维PtTe2作为新型半金属材料，以其独特的能带结构、优异的化学稳定性
和可调控的电子特性，在红外光电探测领域展现出显著优势；此外，锗(Ge)作
为传统半导体材料，因其在短波红外波段优异的光吸收特性、成熟的器件制备工
艺以及与CMOS工艺良好的兼容性，在光电探测领域占据重要地位。将二维PtTe2
与Ge材料进行异质集成，有望实现二者性能的优势互补，为开发高速、宽光谱
响应的新型光电探测器提
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