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- 2026-03-30 发布于北京
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2026/3/271:141王向展§4.3CMOS反相器4.3.1CMOS逻辑电路的特点4.3.2CMOS反相器特性分析4.3.3CMOS传输门§4.4三态输出缓冲器§4.5静态CMOS逻辑门电路4.5.1CMOS基本门电路§4.6动态和准静态CMOS电路4.6.1动态CMOS电路§4.7CMOS变型电路4.7.1伪NMOS逻辑4.7.2钟控CMOS逻辑(C2MOS)4.7.3预充电鉴别逻辑(P-E逻辑)4.7.4多米诺(Domino)CMOS逻辑
2026/3/271:142王向展§4.1MOS器件的基本电学特性4.1.1MOSFET的结构与工作原理MOSFET是Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理,是利用垂直的栅压VGS实现对水平IDS的控制。它是多子(多数载流子)器件。用跨导描述放大能力。
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