CN120015849A 一种等离子体蚀刻结合旋转热压转印的膜电极制备方法、膜电极及其应用 (中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司).pdfVIP

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  • 2026-03-31 发布于重庆
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CN120015849A 一种等离子体蚀刻结合旋转热压转印的膜电极制备方法、膜电极及其应用 (中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120015849A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510120542.0H01M8/1004(2016.01)

(22)申请日2025.01.25

(71)申请人中国电建集团华东勘测设计研究院

有限公司

地址310000浙江省杭州市潮王路22号

申请人浙江华东工程建设管理有限公司

(72)发明人周思思曾少军宗徐剑曹佳荣

俞妙言彭逸萱裘露婷黄生霞

陈浩境周潇徐启良胡小坚

魏拥春刘雪雯巫星威吕昊哲

(74)专利代理机构杭州泓呈祥专利代理事务所

(普通

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