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CN115458649B 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 （江西兆驰半导体有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-01 发布于山西
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CN115458649B 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 （江西兆驰半导体有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115458649B

    (45)授权公告日2025.05.02

    (21)申请号202211298826.1

    (22)申请日2022.10.21

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115458649A

    (43)申请公布日2022.12.09

    (73)专利权人江西兆驰半导体有限公司

    地址330000江西省南昌市高新技术产业

    开发区天祥北大道1717号

    (72)发明人张彩霞印从飞程金连刘春杨胡加辉金从龙

    (74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202

    专利代理

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