CN115668056B 半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法 （三星Sdi株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115668056B

(45)授权公告日2025.06.10

(21)申请号202180036970.5

(22)申请日2021.08.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115668056A

(43)申请公布日2023.01.31

(30)优先权数据

10-2020-01178812020.09.14KR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.11.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/KR2021/0111212021.08.20

(87)PCT国际申请的公布数据

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