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2026年模拟电子线路试卷附答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.硅二极管的正向导通压降约为多少，当正向电压低于该值时，二极管呈现的电阻特性是（）

A.0.3V，高电阻

B.0.7V，高电阻

C.0.3V，低电阻

D.0.7V，低电阻

答案：B

解析：硅二极管的正向导通压降典型值为0.7V，锗二极管约为0.3V；当正向电压低于导通压降时，二极管处于截止状态，反向漏电流极小，呈现高电阻特性，只有当正向电压达到导通压降后，二极管才会进入低电阻导通状态。

2.某NPN型三极管，测得其发射结反偏、集电结反偏，则该三极管处于（）

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

D.倒置状态

答案：C

解析：三极管的工作状态由发射结和集电结的偏置状态决定：放大状态要求发射结正偏、集电结反偏；饱和状态要求发射结正偏、集电结正偏；截止状态要求发射结反偏、集电结反偏；倒置状态要求发射结反偏、集电结正偏，此时三极管失去放大能力。

3.共射放大电路中，若静态工作点设置过高，容易出现的失真类型是（）

A.截止失真

B.交越失真

C.饱和失真

D.频率失真

答案：C

解析：共射放大电路的静态工作点过高时，三极管在输入信号正半周峰值附近会进入饱和区，导致输出信号负半周被削顶，产生饱和失真；工作点过低则会出现截止失真，交越失真是功率放大电路中互补管交替导通时的失真，频率失