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2026年模拟电子技术试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.常温下，硅半导体二极管的正向导通压降约为多少，反向击穿后稳压二极管的工作状态为()

A.0.3V，正向导通

B.0.7V，反向击穿

C.0.3V，反向截止

D.0.7V，正向截止

答案：B

解析：常温下硅二极管的正向导通压降典型值为0.7V，锗管为0.3V；稳压二极管是利用其反向击穿时的稳压特性实现稳压功能，因此正常工作在反向击穿状态。

2.某NPN型三极管的基极电流IB=20μA，集电极电流IC=1.8mA，则该三极管的电流放大系数β及发射极电流IE分别为()

A.90，1.78mA

B.100，2.0mA

C.90，1.82mA

D.100，1.98mA

答案：C

解析：根据三极管的电流分配关系，β=IC/IB=1.8mA/20μA=90；发射极电流IE=IC+IB=1.8mA+0.02mA=1.82mA。

3.共射放大电路中，若静态工作点设置过高，容易产生的失真类型为()

A.截止失真

B.饱和失真

C.交越失真

D.线性失真

答案：B

解析：共射放大电路的静态工作点过高时，三极管在信号的正半周容易进入饱和区，导致输出信号的负半周被削顶，产生饱和失真；静态工作点过低则会产生截止失真；交越失真主要出现在推挽功率放大电路中。

4.某放大电路引入了电压串联负反馈，该反馈