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考研微电子学基础试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体中载流子的主要散射机制不包括以下哪种？（）

A.电离杂质散射

B.晶格振动散射

C.中性杂质散射

D.光散射

2.本征半导体中，以下说法正确的是（）

A.电子浓度大于空穴浓度

B.电子浓度小于空穴浓度

C.电子浓度等于空穴浓度

D.无法确定

3.pn结正偏时，空间电荷区会（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

4.以下哪种器件不属于双极型器件？（）

A.二极管

B.三极管

C.MOSFET

D.晶闸管

5.半导体材料硅的禁带宽度约为（）

A.0.7eV

B.1.12eV

C.1.42eV

D.2.2eV

6.对于MOSFET，阈值电压是指（）

A.开始有漏极电流时的栅源电压

B.漏极电流达到最大时的栅源电压

C.源漏极之间开始导通时的电压

D.栅极电流开始出现时的电压

7.集成电路制造中，光刻工艺的主要作用是（）

A.形成半导体器件

B.确定器件的图形

C.掺杂杂质

D.提高半导体的导电性

8.半导体中载流子的迁移率与以下哪个因素无关？（）

A.温度

B.杂质浓度

C.电场强度

D.半导体材料的颜色

9.当温度升高时，本征半导体的导电能力（）

A.增强

B.减弱

C.