Co、Cu掺杂ZnO稀磁半导体粉末结构与磁性的多维度探究.docxVIP

Co、Cu掺杂ZnO稀磁半导体粉末结构与磁性的多维度探究

一、引言

1.1稀磁半导体的发展与现状

稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）作为一种新型半导体材料，自20世纪60年代被提出以来，经历了漫长的发展历程。早期的研究主要集中在天然矿石类的磁性半导体材料，如硫族铕化物在半导体尖晶石中产生的周期性磁元素阵列，但这类材料的晶体生长极为困难，居里温度（Tc）在100K以下，导电性能接近绝缘体，限制了其进一步应用。

进入80年代，人们开始关注由少量磁性元素与II-VI族非磁性半导体形成的合金，如（Cd,Mn）Tc和（Zn,Mn）Se等，这些被视为第二代磁性半导体。II-VI族半导体中的II族元素被等价的磁性过渡族金属原子替代，能够获得较高的磁性原子浓度（10％-25%），且仍保持闪锌矿结构或纤锌矿结构，但替代的磁性Mn离子虽引入局域自旋，却导致了Mn磁矩之间的短程反铁磁性耦合，且载流子难以控制，材料常呈绝缘性。

近年来，随着自旋电子学的兴起，稀磁半导体再次成为研究热点。自旋电子学旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，相较于传统电子学，有望大幅提升器件性能和降低能耗。而稀磁半导体由于兼具半导体和磁性的性质，能在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度，成为自旋电子学领域极