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2026年(微电子科学与技术)模拟电子技术试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.关于N沟道增强型MOS管，当栅源电压VGS小于开启电压VGS(th)时，MOS管处于（）

A.恒流区

B.截止区

C.可变电阻区

D.击穿区

答案：B

解析：N沟道增强型MOS管的开启电压VGS(th)为正值，当VGSVGS(th)时，漏源之间未形成导电沟道，管子截止，漏极电流ID≈0，因此处于截止区。

2.二极管的反向饱和电流IS随温度升高而（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：A

解析：二极管的反向饱和电流IS由少数载流子的漂移运动决定，温度升高时，半导体内部少数载流子浓度呈指数规律增加，因此IS随温度升高显著增大，大约每升高10℃，IS增大一倍。

3.共射极放大电路中，若静态工作点设置过高，容易产生（）

A.截止失真

B.饱和失真

C.交越失真

D.线性失真

答案：B

解析：共射放大电路静态工作点过高时，输入信号正半周会使晶体管提前进入饱和区，导致输出信号负半周被削顶，产生饱和失真；工作点过低则会产生截止失真。

4.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，说明电路（）

A.抑制共模信号的能力越强，放大差模信号的能力越强

B.抑制共模信号的能力越强，放大差模信号的能力越弱

C.抑制共模信号的能力越弱，放大差模信号的