CN119581416A 后段超级通孔及当前金属层的制作方法、超级通孔 (杭州积海半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-07 发布于重庆
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CN119581416A 后段超级通孔及当前金属层的制作方法、超级通孔 (杭州积海半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119581416A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510138648.3

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人杭州积海半导体有限公司

地址311225浙江省杭州市钱塘新区义蓬

街道江东大道3899号709-7号

(72)发明人谭发龙吴卓杰

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙)31237

专利代理师顾丹丽

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图10

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