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CN119997520A 一种高集成度硅基半导体多晶硅膜电阻模块及其制作方法 （安徽芯质智能科技有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-04-06 发布于重庆
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CN119997520A 一种高集成度硅基半导体多晶硅膜电阻模块及其制作方法 （安徽芯质智能科技有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119997520A

    (43)申请公布日2025.05.13

    (21)申请号202510146915.1

    (22)申请日2025.02.08

    (71)申请人安徽芯质智能科技有限公司

    地址236000安徽省阜阳市临泉县临庐微

    格(临泉)长三角创新产业园4幢1004

    号

    (72)发明人刘治坤刘鑫唐国栋

    (74)专利代理机构北京和联顺知识产权代理有

    限公司11621

    专利代理师张先宝

    (51)Int.Cl.

    H10D1/47(2025.01)

    权利要求书3页说明书9页附图1页

    (54)发明名称

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